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防止晶圆被金属离子污染的方法及系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201910440222.8
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2019-05-24
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	防止晶圆被金属离子污染的方法及系统
申请号	CN201910440222.8	申请日期	2019-05-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-03	公开/公告号	CN110534406A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	赵志伟;王恕言
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种防止晶圆被金属离子污染的方法和系统，该方法包括接收来自第一稀释槽的晶圆；将晶圆浸泡在去离子槽中，其中去离子槽包括槽溶液，而槽溶液包括去离子溶液；判断在槽溶液中金属离子浓度；因应金属离子浓度大于阈值的判断而在去离子槽中进行整治；以及移动晶圆至第二稀释槽。

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