一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010150307.5
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06;F27D1/18
申请日期：
2020-03-06
申请人：
内蒙古中环光伏材料有限公司

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专利名称	一种直拉硅单晶用炉盖及其制作方法
申请号	CN202010150307.5	申请日期	2020-03-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113355735A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;F;2;7;D;1;/;1;8查看分类表>
申请人	内蒙古中环光伏材料有限公司	申请人地址	内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古中环光伏材料有限公司	当前权利人	内蒙古中环光伏材料有限公司
发明人	李晓东;韩凯;景吉祥;赵志远;钟旭;卢佳锋;康学兵;田鑫阳;贾国华
代理机构	天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	栾志超

摘要

本发明提供一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。本发明还提供一种直拉硅单晶用炉盖的制作方法。本发明提出的炉盖，是在盖体内侧涂覆一叠层内衬，即能保护炉盖内壁结构，又能防止炉盖内壁形成一层金属离子，提高炉盖的使用寿命，提高直拉单晶晶体品质。

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