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用于鉴别半导体晶片在热处理期间的错误位置的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010125922.7
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2010-02-25
  • 申请人:
    硅电子股份公司
著录项信息
专利名称用于鉴别半导体晶片在热处理期间的错误位置的方法
申请号CN201010125922.7申请日期2010-02-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-08-25公开/公告号CN101814449A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人硅电子股份公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人硅电子股份公司当前权利人硅电子股份公司
发明人G·布伦宁格;K·格林德尔
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人过晓东
摘要
本发明涉及在利用红外发射器加热的对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片的错误位置的方法,其中半导体晶片位于旋转的基座的圆形凹槽内,并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度,利用高温计测定热辐射,求得测量信号的波动振幅,若该振幅超过预定的最大值,则认为半导体晶片的位置错误。在此,高温计的取向使得由高温计检测的测量斑部分地位于半导体晶片上并且部分地位于半导体晶片以外的基座上。以此方式可以鉴别半导体晶片在基座的凹槽内的偏心位置。

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