一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器

发明专利无效专利

申请号：
CN201510875527.3
IPC分类号：G02F1/035
申请日期：
2015-12-02
申请人：
派尼尔科技（天津）有限公司

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专利名称	一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器
申请号	CN201510875527.3	申请日期	2015-12-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-19	公开/公告号	CN106033154A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/035 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/03 基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯（Pockels）或科尔（Kerr）效应的（G02F 1/061优先）〔2，4，7〕 G02F1/035 在光波导结构中的〔5〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;3;5查看分类表>
申请人	派尼尔科技（天津）有限公司	申请人地址	天津市滨海新区开发区泰华路12号泰达中小企业发展中心3050房间变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	派尼尔科技（天津）有限公司	当前权利人	派尼尔科技（天津）有限公司
发明人	姜城
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器，包括行波电极，铌酸锂波导层，下包层，地电极和衬底，所述的衬底上表面覆盖所述的地电极；所述的地电极上表面覆盖所述的下包层；所述的下包层上表面覆盖所述的铌酸锂铌酸锂波导层；所述的铌酸锂波导层上表面覆盖所述的行波电极；所述的铌酸锂波导层包括铌酸锂晶体和钛扩散条波导，所述的铌酸锂晶体设置在钛扩散条波导的下表面中部。本发明的铌酸锂波导层的设置，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，稳定性好等优点，便于推广和使用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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