一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110566107.2
IPC分类号：B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
申请日期：
2021-05-24
申请人：
北京大学

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著录项信息

专利名称	一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法
申请号	CN202110566107.2	申请日期	2021-05-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113371673A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	于晓梅;刘意;田源
代理机构	北京万象新悦知识产权代理有限公司	代理人	贾晓玲

摘要

本发明公开了一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法，该混合集成传感微系统的组件包括多通道微传感器、微传感器信号调理电路、微控制单元、射频电路模块、外围设备和支持电路等伺服电路，所述全部组件采用体硅工艺或者SOI工艺集成制备，将微传感器、模拟CMOS电路和数字CMOS电路单芯片集成在一起，或将部分组件单芯片集成在一起，再与剩余组件系统级集成在一起。所述集成传感微系统的一种单芯片集成制备方法，基于部分耗尽SOI CMOS工艺，利用部分耗尽SOI CMOS工艺完成大部分微传感器平面加工步骤，在SOICMOS的制备工序结束以后，完成剩余微传感器的加工步骤。本发明的集成传感微系统具有多通道信号并行检测、信号远程传输、信噪比高、成本低、体积小、功耗低、便于携带等技术优势。

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