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电压感知适应性静态随机访问存储器写辅助电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201610710820.9
IPC分类号：G11C11/419
申请日期：
2016-08-23
申请人：
格罗方德半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电压感知适应性静态随机访问存储器写辅助电路
申请号	CN201610710820.9	申请日期	2016-08-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-04	公开/公告号	CN107017019A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/419 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/419 读写〔R-W〕电路〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;9查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	百慕大汉密尔顿变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	马维尔亚洲私人有限公司,凯威姆国际公司,马维尔国际有限公司	当前权利人	马维尔亚洲私人有限公司,凯威姆国际公司,马维尔国际有限公司
发明人	E·D·亨特施罗德;J·A·法菲尔德;D·L·阿南德;K·A·巴特森
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

一种电压感知适应性静态随机访问存储器写辅助电路，本发明提供写辅助电路的方法。该写辅助电路包括：多个二进制权重升压电容器，分别包含与位线耦接的第一节点以及与相应升压使能晶体管连接的第二节点；以及多个升压使能晶体管，分别包含栅极，该栅极与升压控制使能信号连接以控制相应的二进制权重升压电容器。各该多个升压使能晶体管的该升压控制使能信号由基于供电电平的编码值控制。

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