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自行对准接触窗开口的制作方法与半导体元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510092046.1
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/768
  • 申请日期:
    2005-08-16
  • 申请人:
    力晶半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称自行对准接触窗开口的制作方法与半导体元件
申请号CN200510092046.1申请日期2005-08-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-02-21公开/公告号CN1917147
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人力晶半导体股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人力晶半导体股份有限公司当前权利人力晶半导体股份有限公司
发明人王炳尧;赖亮全;杨政桓
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
一种自行对准接触窗开口的制作方法,先提供一基底,此基底上已形成有多个元件结构,且这些元件结构的顶部高于基底的表面。然后,于基底与元件结构的表面上依序形成第一介电层与导体层。接着,去除元件结构顶部以及侧壁上的部分导体层,并于元件结构的裸露侧壁上形成多个第一间隙壁。以第一间隙壁为掩模,去除裸露的导体层与第一介电层,而暴露出基底,并形成多个导体间隙壁。于导体间隙壁的侧壁上形成多个第二间隙壁。

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