一种免清洗混合集成电路焊接方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611188414.7
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/60
申请日期：
2016-12-21
申请人：
贵州振华风光半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种免清洗混合集成电路焊接方法
申请号	CN201611188414.7	申请日期	2016-12-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-04-26	公开/公告号	CN106601625A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	贵州振华风光半导体有限公司	申请人地址	贵州省贵阳市新添大道北段238号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	贵州振华风光半导体有限公司	当前权利人	贵州振华风光半导体有限公司
发明人	尹国平;苏贵东;王德成;蔡景洋;聂平健;陈潇;陈帅业;卢辉昊
代理机构	贵阳中工知识产权代理事务所	代理人	刘安宁

摘要

本发明公开了一种免清洗混合集成电路焊接方法，该方法是采用不含助焊剂的全固态预制合金焊料片取代原先的膏状焊料，在充满氮气且温度可控的环境下，采用两种不同熔点的合金焊料分步进行芯片、基片电路、基座的相互焊接，不会对基座、基片电路和芯片造成污染，产品焊接后可直接进行键合、封装，实现免清洗焊接。本方法产品焊接后可直接进行键合、封装，避免焊接后的清洗、清洗剂的使用和排放，节省时间提高效率。采用这种工艺焊接的产品，焊接强度较膏状焊料更高，产品能经受恒定加速度试验不脱落，远高于国家军用标准规定的要求；适用于焊接面为可焊金属介质的外壳、基片电路和带背面金属化半导体芯片、无源元件的混合集成电路的组装焊接。

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