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指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入

发明专利无效专利

申请号：
CN201180015641.9
IPC分类号：H01L21/225;H01L21/265;H01L21/266
申请日期：
2011-02-17
申请人：
瓦里安半导体设备公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入
申请号	CN201180015641.9	申请日期	2011-02-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-26	公开/公告号	CN102844840A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/225 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/22 杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂〔2〕 H01L21/225 应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;2;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;6查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	阿塔尔·古普塔;尼可拉斯·P·T·贝特曼
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	臧建明;张洋

摘要

一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。

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