成像像素及成像传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201721289642.3
IPC分类号：H04N5/335;H01L27/146
申请日期：
2017-10-09
申请人：
半导体元件工业有限责任公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	成像像素及成像传感器
申请号	CN201721289642.3	申请日期	2017-10-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04N5/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04N 图像通信，如电视 H04N5/00 电视系统的零部件（扫描部件或其与供电电压产生的组合入H04N 3/00）〔4，2011.01〕 H04N5/30 转变光或模拟信息为电信号（H04N 5/222优先；扫描零部件入H04N 3/00）〔2，4，7〕 H04N5/335 利用固态图像传感器〔SSIS〕（H04N 5/32，H04N 5/33优先）〔4，2011.01〕	IPC分类号	H;0;4;N;5;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	半导体元件工业有限责任公司	申请人地址	美国亚利桑那州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	半导体元件工业有限责任公司	当前权利人	半导体元件工业有限责任公司
发明人	尼拉弗·德哈里阿;帕万·吉尔霍特拉
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	王琳;姚开丽

摘要

本实用新型涉及成像像素及成像传感器。本实用新型公开了成像传感器可包括被布置成行和列的成像像素阵列。沿同一列布置的成像像素可耦接到列线。所述列线可耦接到抗重迭控制电路。在一种合适的布置中，所述抗重迭控制电路可包括比较器，所述比较器将所述列线上的输出信号与抗重迭偏置电压进行比较。在重置采样周期期间，如果所述列线上的所述输出信号小于所述抗重迭偏置电压，则晶体管可生效，所述晶体管将所述像素中的所述浮动扩散区耦接到电源端子。使用该布置，当满足重迭条件并且来自重置样本的噪声将与入射光样本中的噪声相关时，可以输出至少最小像素级。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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