一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410031994.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/033;G03F7/00
申请日期：
2014-01-23
申请人：
上海交通大学

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专利名称	一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法
申请号	CN201410031994.3	申请日期	2014-01-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-30	公开/公告号	CN103762159A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	欧阳世宏;许鑫;朱大龙;王东平;谭特;谢应涛;石强;蔡述澄;方汉铿
代理机构	上海旭诚知识产权代理有限公司	代理人	郑立

摘要

一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法，包括导电高分子材料的基板表面涂敷，形成导电高分子薄膜，金属保护层沉积在导电高分子薄膜表面形成金属薄膜，光刻胶涂敷在金属薄膜表面形成光刻胶薄膜；对光刻胶薄膜进行烘烤、曝光和显影处理，得到图形化光刻胶薄膜；对未被图形化光刻胶薄膜保护的金属薄膜进行刻蚀处理，得到图形化金属薄膜；对未被图形化金属薄膜保护的导电高分子薄膜进行刻蚀处理；对图形化光刻胶薄膜进行去胶处理；去除图形化金属薄膜，得到图形化导电高分子薄膜。本发明利用金属保护层，实现了与传统曝光工艺兼容的图形化方法，完成了导电高分子材料的精细图形化工作，有利于扩展导电高分子材料的应用领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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