一种半导体电容器的制造方法发明专利
申请号：CN201310557608.X
LOC分类号:H01L21/02
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H02发电、变电或配电
- H02M用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕
- H02M7/00交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出
- H02M7/42不可逆的直流功率输入变换为交流功率输出的
- H02M7/44利用静态变换器的
- H02M7/48应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的〔1，2007.01〕
- H02M7/505应用需要熄灭装置的闸流管或晶闸管型器件的〔2〕
- H02M7/515仅用半导体器件的〔2，2007.01〕
- H02M7/521在桥式连接中的〔4〕
