埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010576052.5
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/31;H01L21/50
申请日期：
2010-11-25
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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专利名称	埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法
申请号	CN201010576052.5	申请日期	2010-11-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-06	公开/公告号	CN102117799A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	府玠辰;欧英德
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陆勍

摘要

本发明关于一种埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法，本发明的埋入型多芯片半导体封装结构包括：一第一芯片、至少一第二芯片、一第一线路层及一第二线路层。该第一芯片具有一第一表面、一第二表面及至少一凹槽，该至少一凹槽设置于该第二表面。至少一第二芯片具有一主动表面及数个第二电性连接垫，该至少一第二芯片设置于该至少一凹槽内。因本发明的该至少一第二芯片设置于该第一芯片的该至少一凹槽内，故不会增加本发明埋入型多芯片半导体封装结构的高度及面积，可有利于产品的微小化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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