扇出型天线封装结构及封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910493232.8
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
申请日期：
2019-06-06
申请人：
中芯长电半导体（江阴）有限公司

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著录项信息

专利名称	扇出型天线封装结构及封装方法
申请号	CN201910493232.8	申请日期	2019-06-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-20	公开/公告号	CN110148587A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	中芯长电半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	陈彦亨;林正忠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	刘星

摘要

本发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，该封装结构包括依次堆叠的第一塑封层、再布线层、第二塑封层、第一天线层、聚合物层、第三塑封层、第二天线层，并包括至少一裸片、至少一导电柱、至少一天线接口裸片、至少一通孔及至少一导电部，其中，裸片位于第一塑封层中，且裸片的焊盘与再布线层连接；导电柱位于第二塑封层中，上下两端分别连接第一天线层与再布线层；聚合物层包覆第一天线层；天线接口裸片装设于聚合物层上且侧面被第三塑封层包围。本发明可实现两层或多层天线层的整合，不仅提高了制程结构的整合性，有利于缩小封装尺寸，还可以通过多层天线复合提高天线效率及性能，同时，采用玻璃接口来做天线的接口可以降低天线损耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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