一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法

1.用于制备硅纳米线太阳能电池的二次氧化钝化方法，先利用第一次干氧氧化工艺，由于硅的干氧氧化速率很低，通过控制氧化时间，可以在硅纳米线上形成一层厚度可控的氧化层；或利用双氧水氧化方法在硅纳米线上形成一层氧化层；
随后利用HF腐蚀在硅纳米线表面的氧化硅层，在去除这层氧化硅的同时，就把硅纳米线表面的缺陷层去除了，同时不破坏硅纳米线的形状，该方法可以降低表面电荷复合速率，有效改善硅纳米线的少子寿命，从而提高电池效率，其特征在于包括如下步骤：
（1）在（100）p或n型单晶硅上利用金属辅助湿法腐蚀方法形成纳米线；
（2）在硅纳米线表面形成一层氧化层
方案一：利用干氧氧化工艺在硅纳米线表面形成一层氧化层：
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在氧气气氛下，氧气流量在20-80 sccm，温度在 800~900 C，加热 10-30分钟，形成氧化层厚度在5~10 nm；
或方案二：利用体积浓度为20-30 %的双氧水室温浸泡硅纳米线10-30min；
（3）利用HF酸腐蚀氧化层
利用HF酸水溶液浸泡硅纳米线10-30min，去除氧化层。
2.如权利要求1所述的用于制备硅纳米线太阳能电池的二次氧化钝化方法，其特征在于：所述p型或n型单晶硅片的电阻率在1~30 Ωcm，厚度在150~220 μm。
3.如权利要求1所述的用于制备硅纳米线太阳能电池的二次氧化钝化方法，其特征在于：所述HF酸为HF酸水溶液，摩尔浓度为1~3 %。

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