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一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110190786.4
IPC分类号：H01L21/336;B82Y40/00;B82Y10/00
申请日期：
2011-07-08
申请人：
北京大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法
申请号	CN201110190786.4	申请日期	2011-07-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-11	公开/公告号	CN102315129A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市经济技术开发区文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,北京大学	当前权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,北京大学
发明人	黄如;樊捷闻;艾玉杰;孙帅;王润声;邹积彬;黄欣
代理机构	北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张肖琪

摘要

本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力，能够提供很好的抑制短沟道效应的能力，并减小泄漏电流和漏致势垒降低(DIBL)；另一方面，进一步缩小器件面积，提高了IC系统的集成度。

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