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半导体发光装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710199479.6
IPC分类号：H01L25/00;H01L25/075
申请日期：
2007-12-13
申请人：
夏普株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体发光装置及其制造方法
申请号	CN200710199479.6	申请日期	2007-12-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-01	公开/公告号	CN101276808
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	石仓卓郎;伊藤富博
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	陈瑞丰

摘要

本发明的半导体发光装置包括：第一LED芯片，其发出的光通过荧光物质层进行波长变换，荧光物质层是通过涂敷并固化含有荧光物质的流体材料形成的；以及第二LED芯片，其发出的光不通过荧光物质层进行波长变换，其中第一LED芯片和第二LED芯片以如下方式布置在衬底上：在衬底上，第二LED芯片发光层的高度高于第一LED芯片顶部表面的高度。

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