一种LED外延晶层生产工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202110660374.6
IPC分类号：H01L21/02;H01L33/00
申请日期：
2021-06-15
申请人：
上海璞徽机械设备有限公司

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著录项信息

专利名称	一种LED外延晶层生产工艺
申请号	CN202110660374.6	申请日期	2021-06-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-14	公开/公告号	CN113394077A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海璞徽机械设备有限公司	申请人地址	山东省日照市经济开发区北京路街道兖州南路与舟山路交汇处创新创业产业园1号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	纬翔华创（山东）智能电子科技有限公司	当前权利人	纬翔华创（山东）智能电子科技有限公司
发明人	池佳洁
代理机构	广东灵顿知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	梁鹤鸣

摘要

本发明提供了一种LED外延晶层生产工艺，属于半导体生产技术领域。它解决了现有的外延设备对于衬底的形态为固定设置，导致原气体通入时，位于最前方的衬底优先形成晶层，但反应后的废气掺杂在原气体中与后方的衬底接触，进而对后方的晶层形成造成一定影响，且反应进行前选择将清理后的衬底安装于装置内，衬底在运输过程中暴露在空气中，导致空气中的灰尘、杂质贴敷在衬底上，进一步对晶层的形成造成影响的问题。本LED外延晶层生产工艺由反应筒、两个底座、密封门、加热腔、进气口、排气口、储气机构、支撑机构、夹紧机构、梳理机构配合完成相应的处理操作。本LED外延晶层生产工艺使用基片清理更加彻底、成晶更加均匀、稳定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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