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制作透明传导氧化层和光伏器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110460740.X
IPC分类号：H01L21/324;H01L31/20
申请日期：
2011-12-22
申请人：
通用电气公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制作透明传导氧化层和光伏器件的方法
申请号	CN201110460740.X	申请日期	2011-12-22
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102569064A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/324 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人	通用电气公司	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	通用电气公司	当前权利人	通用电气公司
发明人	H·A·布莱德斯;G·T·达拉科斯;D·W·费尔努伊;A·R·诺尔思拉普;J·C·罗霍;P·J·梅施特;彭红樱;曹洪波;奚衍罡;R·D·戈斯曼;张安平
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	柯广华;朱海煜

摘要

本发明名称为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10‑4Ohm‑cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。

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