蓝紫光或蓝光激发的荧光体及制造方法与封装的白光二极管

发明专利无效专利

申请号：
CN200710151099.5
IPC分类号：C09K11/79;H01L33/00
申请日期：
2007-12-17
申请人：
天津理工大学

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专利名称	蓝紫光或蓝光激发的荧光体及制造方法与封装的白光二极管
申请号	CN200710151099.5	申请日期	2007-12-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-05-28	公开/公告号	CN101186818
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/79 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/77 含稀土金属〔4〕 C09K11/79 含硅〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;7;9;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	天津理工大学	申请人地址	天津市南开区红旗南路263号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津理工大学	当前权利人	天津理工大学
发明人	王达健;张培新;袁志好;彭金辉;李岚;毛智勇;顾铁成;姜亚昌;陆启飞;于文惠;印寿根;张红梅
代理机构	天津佳盟知识产权代理有限公司	代理人	廖晓荣

摘要

本发明属于光电显示材料和器件技术领域，涉及一种用蓝紫光或蓝光激发的荧光体制造法及用这种荧光体和芯片封装的白光二极管。荧光体的成分为Sr3－a－bBaaSi1－cO5∶bD，cE，dF，eG式中D是二价Eu，E是三价Ce，F是元素B，G是一价Li，a、b、c、d和e为原子摩尔数，数值范围为0.0≤a≤0.2，0.0≤b≤0.2，0.0≤c≤0.2，0.0≤d≤0.2，0.0≤e≤0.2，原子比c∶e＝1∶0.01－0.1。按照荧光体的成分配制一种复合硅溶胶，复合硅溶胶进行喷雾造粒，得到干凝胶颗粒，进行微波高温烧成，得到荧光体颗粒。采用上述荧光体的成分和制造方法，容易调整荧光体颗粒的大小、形貌和光谱以及亮度和发光效率，实现量产化生产。用这种荧光体颗粒与蓝紫光或蓝光GaN基芯片一起封装，得到白光二极管。

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