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一种OLED发光器件外提取膜的加工方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201711286606.6
IPC分类号：H01L51/56
申请日期：
2017-12-07
申请人：
武汉华美晨曦光电有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种OLED发光器件外提取膜的加工方法
申请号	CN201711286606.6	申请日期	2017-12-07
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-04	公开/公告号	CN107994135A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	武汉华美晨曦光电有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道70号A115室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉华美晨曦光电有限责任公司	当前权利人	武汉华美晨曦光电有限责任公司
发明人	金凌;江创;刘纪文
代理机构	北京华仲龙腾专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李静

摘要

发明涉及有机发光二极管(OLED)照明技术领域，提供一种OLED发光器件外提取膜的加工方法，首先将金属网固定在衬底上，随后刮涂一层树脂，然后取出金属网，并将衬底反向倒置，晾干成型。通过该流程，本发明可以得到一层具有结构阵列的薄膜。将该薄膜用于OLED照明器件的出光侧，可以显著的提高器件的出光效率。相比现有技术，本发明的操作过程简单、易于实现、成本低。

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