一种基于填充不同介电常数材料的SIW移相器

发明专利有效专利

申请号：
CN201610067241.7
IPC分类号：H01P1/18
申请日期：
2016-02-01
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种基于填充不同介电常数材料的SIW移相器
申请号	CN201610067241.7	申请日期	2016-02-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105514540A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/18 移相器（H01P 1/165优先）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;1;8查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	彭浩;夏鑫淋;黄杰铭;杨涛
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	张杨

摘要

本发明涉及微波移相器，具体是涉及一种基于填充不同介电常数材料的SIW移相器。该SIW移相器由对应于参考零相位的支路一和对应于所需移相度数的支路二组成：在支路一中将空气作为传播介质，在支路二中用SIW本体介质材料作为传播介质，微带线长度，SIW长度与宽度都会改变基片集成波导的相位，这些措施产生的相移量可以相互补偿，调整物理尺寸参数和填充材料以在宽带频率范围内形成固定的相位差。本发明实现的45°和90°移相器实测带宽分别达到71.8％(7.55‑16GHz，45°±3°)和77.2％(7.35～16.6GHz，90°±5.1°)；具有较好的幅度一致性，插入损耗优于2dB；方便与其他平面型无源和有源电路集成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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