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复合晶片结构的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510099630.X
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2005-08-30
  • 申请人:
    中美矽晶制品股份有限公司
著录项信息
专利名称复合晶片结构的制造方法
申请号CN200510099630.X申请日期2005-08-30
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2007-03-07公开/公告号CN1925128
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中美矽晶制品股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中美矽晶制品股份有限公司当前权利人中美矽晶制品股份有限公司
发明人叶哲良;黄菁仪;徐文庆;何雅兰;许松林;王荣宗
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
本发明提供一种制造一复合晶片结构的方法。特别地,根据本发明的方法基于断裂力学理论,主动控制在复合晶片结构制造过程中所引发的断裂,进而避免不愿见到的边缘损伤的发生。由此,根据本发明的方法可以提高复合晶片结构在工业量产上的成品率。

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