半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN02141082.8
IPC分类号：--
申请日期：
2002-04-26
申请人：
株式会社东芝

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN02141082.8	申请日期	2002-04-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-01-01	公开/公告号	CN1388586
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	渡边伸一;大泽隆;须之内一正;竹川阳一;梶山健
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底的表层部的MOS晶体管的漏·源区，形成在所述半导体衬底的所述漏·源区之间的沟道区的表面上的栅绝缘膜，形成在所述栅绝缘膜上的栅电极；多个沟型元件隔离区，通过在所述半导体衬底的表层部中形成的多个沟的内壁上形成绝缘膜而形成；背栅电极导电体，被埋入在所述多个沟型元件隔离区中的至少一侧沟型元件隔离区的所述沟内部，通过施加规定的电压，使所述MOS晶体管的所述沟道区以下的区域耗尽。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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