加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种硅基红外测温滤光片及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011510948.3
  • IPC分类号:G02B5/20;G01J5/08;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/02
  • 申请日期:
    2020-12-18
  • 申请人:
    洛阳鼎铭光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种硅基红外测温滤光片及制备方法
申请号CN202011510948.3申请日期2020-12-18
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-03-16公开/公告号CN112505812A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/20IPC分类号G;0;2;B;5;/;2;0;;;G;0;1;J;5;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2查看分类表>
申请人洛阳鼎铭光电科技有限公司申请人地址
河南省洛阳市西工区洛阳工业园区道北二路南侧 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人洛阳鼎铭光电科技有限公司当前权利人洛阳鼎铭光电科技有限公司
发明人李晓飞;李瑞博
代理机构郑州银河专利代理有限公司代理人裴景阳
摘要
本发明涉及一种硅基红外测温滤光片,包括单晶硅基底、长波通膜系结构及短波通膜系结构,其中单晶硅基底为横断面呈矩形的板状结构,长波通膜系结构包覆在单晶硅基底上端面,短波通膜系结构包覆在单晶硅基底下端面,且长波通膜系结构及短波通膜系结构的厚度均不大于1毫米,且长波通膜系结构及短波通膜系结构总厚度为单晶硅基底。其制备方法包括夹持定位,单晶硅基底预热,离子轰击,气象沉积及出炉保存等五个步骤。本发明较传统的滤光片,一方面可以实现了传统滤光片实现不了的宽波段、高精度的温度测量;另一方面生产加工工艺简单,易实现规模化、批量化作业,同时另可提高镀膜层与基板间连接关系的稳定性。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供