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低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010003231.X
IPC分类号：H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/768;H01L23/532
申请日期：
2010-01-11
申请人：
尔必达存储器株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法
申请号	CN201010003231.X	申请日期	2010-01-11
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-11-17	公开/公告号	CN101887853A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/316 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/314 无机层（H01L 21/3105，H01L 21/32优先）〔2，5〕 H01L21/316 由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2查看分类表>
申请人	尔必达存储器株式会社	申请人地址	卢森堡卢森堡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	PS4拉斯口有限责任公司	当前权利人	PS4拉斯口有限责任公司
发明人	长义纪;吉川公縻
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	杨海荣;穆德骏

摘要

本发明涉及一种低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法。其中，包括多孔二氧化硅膜的低介电常数膜的疏水性通过如下步骤改善：将多孔二氧化硅膜形成用原料涂布至衬底上，及进行气相转移处理以将衬底暴露于未添加水的有机胺蒸气的气氛中。同时，通过将孔径控制在预定的范围内，实现介电常数降低、漏电流降低以及机械强度改善。

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