新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320013393.0
IPC分类号：G01J1/42;G05B19/05
申请日期：
2013-01-10
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司

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专利名称	新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统
申请号	CN201320013393.0	申请日期	2013-01-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/42 采用电辐射检测器（光学或机械部件入G01J 1/04；与基准光或基准电参数作比较的入G01J 1/10）	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;4;2;;;G;0;5;B;1;9;/;0;5查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司
发明人	井杨坤
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	韩国胜

摘要

本实用新型涉及显示技术领域，具体是一种新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，包括探测器衬底，所述探测器衬底上设置充有热探测气体的密闭腔室和电极，该密闭腔室上侧由内至外依次被半导体形变膜、透紫外窗口薄膜覆盖；所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜之间形成真空腔，且该半导体形变膜、透紫外窗口薄膜分别与电极连接。本实用新型提供的新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，通过热探测达到温度补正紫外光强测定的效果，不仅去除了温度对紫外线光强测量的影响，并且提高了测量精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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