一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021779195.1
IPC分类号：H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32
申请日期：
2020-08-24
申请人：
黄山博蓝特半导体科技有限公司

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专利名称	一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层
申请号	CN202021779195.1	申请日期	2020-08-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/12 具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	黄山博蓝特半导体科技有限公司	申请人地址	安徽省黄山市黄山九龙低碳经济园区翠薇北路66号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	黄山博蓝特半导体科技有限公司	当前权利人	黄山博蓝特半导体科技有限公司
发明人	徐良;刘建哲;李昌勋;孙海定;郭炜;李京波
代理机构	芜湖众汇知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹宏筠

摘要

本实用新型公开了一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层，包括衬底，依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层以及金属接触层；所述多量子阱包括若干对GaN层和InGaN层交替堆叠的周期性结构及设置在周期性结构上的量子垒层，所述量子垒层包括非故意掺杂GaN层﹑超晶格层以及设置在超晶格层上的P型InGaN层；所述超晶格层包括若干对交替堆叠的非故意掺杂的InxGa1‑xN和非故意掺杂的AlyGa1‑yN。本实用新型中的多量子阱中的量子垒层，能够有效减轻LQB附近的能带弯曲，降低阱垒层极化效应，提高GaN基绿光LED发光效率，可广泛应用于半导体照明技术领域。

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