准平面高速双色铟镓砷光电探测器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910074544.1
IPC分类号：H01L31/08;H01L31/0352;H01L31/18
申请日期：
2009-06-29
申请人：
石家庄开发区麦特达微电子技术开发应用总公司光电分公司

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专利名称	准平面高速双色铟镓砷光电探测器及其制造方法
申请号	CN200910074544.1	申请日期	2009-06-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-03	公开/公告号	CN101661970
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	石家庄开发区麦特达微电子技术开发应用总公司光电分公司	申请人地址	河北省石家庄市合作路113号36分箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	石家庄开发区麦特达微电子技术开发应用总公司光电分公司	当前权利人	石家庄开发区麦特达微电子技术开发应用总公司光电分公司
发明人	曾庆明;蔡道明;李献杰
代理机构	石家庄国为知识产权事务所	代理人	米文智

摘要

本发明属半导体光电器件领域，具体涉及一种准平面高速双色铟镓砷光电探测器及其制造方法，本发明方法采用准平面结构，即采用平面扩散工艺实现PN结功能，结合光刻工艺和台面腐蚀工艺，实现包裹PN结于台面内的准平面结构，同时将压焊点制作在台面下的半绝缘衬底上。采用本方法制备的器件兼容了平面扩散技术具有的暗电流小、可靠性高等特征和台面技术具有的光敏面大、寄生电容小和传输速率高等优势，本发明的方法容易实现光敏面大、暗电流小且传输速率大于10Gb/s的高速铟镓砷光电探测器，不仅提高了在短波850nm的响应度，而且保持了长波1310～1550nm的高响应特性，实现了在短波850nm也有较高响应的双色光电探测器。

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