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氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410098373.3
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2004-12-08
  • 申请人:
    三星电子株式会社;光州科学技术院
著录项信息
专利名称氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
申请号CN200410098373.3申请日期2004-12-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-09-28公开/公告号CN1674310
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人三星电子株式会社;光州科学技术院申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社,光州科学技术院当前权利人三星电子株式会社,光州科学技术院
发明人郭准燮;成泰连;宋俊午;林东皙
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
提供了一种GaN基III-V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III-V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III-V族化合物半导体发光器件包括:至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层,它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括:位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层;和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。

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