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半导体电阻桥电极塞

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200820035298.X
  • IPC分类号:F42B3/13
  • 申请日期:
    2008-05-08
  • 申请人:
    南京理工大学
著录项信息
专利名称半导体电阻桥电极塞
申请号CN200820035298.X申请日期2008-05-08
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F42B3/13IPC分类号F;4;2;B;3;/;1;3查看分类表>
申请人南京理工大学申请人地址
江苏省南京市孝陵卫200号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京理工大学当前权利人南京理工大学
发明人周彬;秦志春;徐振相
代理机构南京理工大学专利中心代理人朱显国
摘要
本实用新型公开了一种半导体电阻桥电极塞。该电极塞将半导体桥芯片用环氧胶粘结在环氧树脂基板上,该半导体桥芯片上的两个电极分别用金属丝与环氧树脂基板上的两个基板电极相连;将环氧树脂基板装在聚乙烯塑料塞顶端,突出于聚乙烯塑料塞上的两根脚线上端穿入已封装半导体桥芯片的环氧树脂基板的两个电极孔中,锡焊连接两根脚线与环氧树脂基板上的两个基板电极,使两根脚线与半导体桥芯片构成电通路。本实用新型具有良好的抗电磁波、杂散电流和静电的性能,但在作用时又具有作用迅速、可靠性好的特点。

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