一种硅纳米线阵列的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810089420.6
IPC分类号：C04B41/52;B82B1/00;B82B3/00
申请日期：
2008-03-31
申请人：
北京师范大学

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著录项信息

专利名称	一种硅纳米线阵列的制备方法
申请号	CN200810089420.6	申请日期	2008-03-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-12	公开/公告号	CN101302118
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/52 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/45 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/52 多次涂覆或浸渍〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;5;2;;;B;8;2;B;1;/;0;0;;;B;8;2;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人	北京师范大学	申请人地址	北京市新街口外大街19号能核物理研究所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京师范大学	当前权利人	北京师范大学
发明人	彭奎庆;李述汤
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片依次经过丙酮振荡清洗，酒精振荡清洗，酸性清洗液和标准清洗1号溶液处理；然后将质量百分比浓度范围为0.02％－2.0％的二氧化硅小球溶液用微量移液枪滴到步骤1清洗干净的硅片表面，置于空气中自然晾干；再将排好二氧化硅小球阵列的硅片在900－1000摄氏度退火1－3个小时；之后将硅片放置在稀释的氢氟酸溶液里面腐蚀2－20分钟，使小球直径变小；然后再用电镀技术或者真空蒸镀技术在硅片表面上沉积20－80nm厚的Ag膜；将沉积好Ag膜的样品浸入氢氟酸和过氧化氢腐蚀液(或者硝酸铁)中腐蚀4－100分钟。本制备方法可以快速制备出大面积的硅纳米线阵列，适宜于大规模化工业生产。

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