一种具有三维纳米孔洞结构SERS活性基片的快速制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310341461.0
IPC分类号：G01N21/65;B82Y15/00
申请日期：
2013-08-07
申请人：
苏州扬清芯片科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种具有三维纳米孔洞结构SERS活性基片的快速制备方法
申请号	CN201310341461.0	申请日期	2013-08-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-13	公开/公告号	CN103389296A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/65 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/65 喇曼散射〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州扬清芯片科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区唯华路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州扬清芯片科技有限公司	当前权利人	苏州扬清芯片科技有限公司
发明人	浦鹏;董明建
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域，具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法。本发明提供一种SERS活性基底，所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属三维纳米孔洞结构，所述贵金属材料为所述贵金属材料为银、铜和/或金。本发明所述高灵敏度SERS传感器活性基底具有表面增强拉曼活性，重复率高的，可用于痕量化合物如毒品、爆炸物等探测。

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