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一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN201110226261.1
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2011-08-09
申请人：
马鞍山明鑫光能科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺
申请号	CN201110226261.1	申请日期	2011-08-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-07	公开/公告号	CN102268726A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	马鞍山明鑫光能科技有限公司	申请人地址	安徽省马鞍山市承接产业转移示范园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	马鞍山明鑫光能科技有限公司	当前权利人	马鞍山明鑫光能科技有限公司
发明人	马四海;张笑天;丁磊;徐大国;马先松;马青
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明涉及一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺，包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程，通过控制拉晶速度及降温速率，在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程。本发明方法有效地降低了单晶棒头部SIO4的形成，降低了头部电阻率，提高了单晶品质，适用于目前CZ直拉法生长的各尺寸单晶产品的生长。

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