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硅片脱附的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710062731.9
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/67
申请日期：
2007-01-15
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅片脱附的方法
申请号	CN200710062731.9	申请日期	2007-01-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-23	公开/公告号	CN101226871
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	彭东阳
代理机构	北京凯特来知识产权代理有限公司	代理人	郑立明;任红

摘要

本发明公开了一种硅片脱附的方法，首先向静电卡盘增加反向电压，消除静电卡盘内部的静电荷，同时，通过将惰性气体电离成等离子体，利用离子的导电性，消除硅片表面的残余电荷，并通过硅片背面的背吹He气从硅片与静电卡盘之间泄漏的流量，判断硅片是否完全脱附。工艺集成度高、安全、生产效率高，尤其适用与半导体硅片加工工艺中，硅片与静电卡盘之间的脱附。

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