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一种微辐射探测器的微桥结构及其阵列

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510999413.X
  • IPC分类号:B81B7/00;B81B7/04;G01J5/02
  • 申请日期:
    2015-12-28
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种微辐射探测器的微桥结构及其阵列
申请号CN201510999413.X申请日期2015-12-28
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2016-05-11公开/公告号CN105565249A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B81B7/00IPC分类号B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;4;;;G;0;1;J;5;/;0;2查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人袁超
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;尹英
摘要
本发明属于半导体技术中的微电子机械系统领域,公开了一种微辐射探测器的微桥结构及其阵列,其包括半导体衬底、桥面、梁以及支撑柱,其中,桥面悬空设置在半导体衬底上,四个梁分别从桥面的边角处引出,四个支撑柱均架设在半导体衬底上,并通过梁与桥面连接。本发明提供了一种微辐射探测器的微桥结构及其阵列,与传统结构相比,现有的微桥结构由于提供了四个支撑柱和梁,使得像元整体结构更加平衡,增加了工艺窗口;采用共享支撑柱形成阵列时,一个最小周期单元仅含有一个支撑柱,具有较高的填充率,能保证桥面最大限度的接收红外光,在获得极佳的结构稳固性的同时,保证了微辐射探测器具有较高的灵敏度和信噪比。

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