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含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610004555.9
IPC分类号：H01L27/088;H01L21/8234
申请日期：
2006-01-27
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法
申请号	CN200610004555.9	申请日期	2006-01-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-09-06	公开/公告号	CN1828900
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	姜相宇;韩晶昱;金龙泰;尹胜范
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

半导体器件包括具有垂直栅电极的晶体管。在晶体管结构中，半导体图案具有面对横向方向的第一和第二侧面、以及面对纵向方向的第三和第四侧面。栅极图案设置与半导体图案的第一和第二侧面相邻。杂质图案直接接触半导体图案的第三或第四侧面。栅极绝缘图案夹置于栅极图案和半导体图案之间。

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