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采用NANDFlash作为存储器时坏块管理的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011609553.9
  • IPC分类号:G06F11/20;G06F12/06
  • 申请日期:
    2020-12-30
  • 申请人:
    杭州国芯科技股份有限公司
著录项信息
专利名称采用NANDFlash作为存储器时坏块管理的方法
申请号CN202011609553.9申请日期2020-12-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-27公开/公告号CN112711501A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F11/20IPC分类号G;0;6;F;1;1;/;2;0;;;G;0;6;F;1;2;/;0;6查看分类表>
申请人杭州国芯科技股份有限公司申请人地址
浙江省杭州市文三路90号东部软件园创新大厦A座5-6层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州国芯科技股份有限公司当前权利人杭州国芯科技股份有限公司
发明人向跃;张令;刘建华
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人朱亚冠
摘要
本发明公开了采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法。本发明方法首先将将NAND Flash进行分区,每个分区具有一个物理地址区间及一个分区内偏移地址区间,将RAW数据分区划分为数据区和冗余区。通过实时遍历访问的分区来进行地址的转换,并在擦除、写过程中遇到坏块或产生了坏块时,将擦除、写区间后的有效数据整体往冗余区搬移。本发明方法无需额外的存储空间来存储BBT,用户的程序也无需关心坏块,简单易用,特别是RAW数据分区比较小时,对NAND Flash的利用率较高。

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