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含有自建半导体二极管的三维纵向多次编程存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN201810045340.4
IPC分类号：H01L27/24;H01L45/00
申请日期：
2018-01-17
申请人：
杭州海存信息技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	含有自建半导体二极管的三维纵向多次编程存储器
申请号	CN201810045340.4	申请日期	2018-01-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-23	公开/公告号	CN110047868A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/24 包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州海存信息技术有限公司	申请人地址	浙江省杭州市5288信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州海存信息技术有限公司	当前权利人	杭州海存信息技术有限公司
发明人	张国飙
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提出一种含有自建半导体二极管的三维纵向多次编程存储器（3D‑MTPV）。它含有多个相互垂直堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙的编程膜，多条形成在存储井中的竖直地址线。存储井中不含单独的二极管膜。水平地址线和竖直地址线含有不同掺杂类型的半导体材料，二极管在它们交叉处自然形成。

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