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一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810965173.5
  • IPC分类号:H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/054;H01L31/18
  • 申请日期:
    2018-08-23
  • 申请人:
    南昌凯迅光电有限公司
著录项信息
专利名称一种倒置三结砷化镓太阳电池及其制作方法
申请号CN201810965173.5申请日期2018-08-23
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2019-01-04公开/公告号CN109148634A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0725
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;3;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;5;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人南昌凯迅光电有限公司申请人地址
江西省南昌市临空经济区中小微企业园办公楼二楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南昌凯迅光电有限公司当前权利人南昌凯迅光电有限公司
发明人徐培强;宁如光;万智;林晓珊;汪洋;张银桥
代理机构南昌大牛专利代理事务所(普通合伙)代理人喻莎
摘要
本发明涉及一种倒置三结砷化镓太阳电池。包括在砷化镓衬底上依次生长的(Al)GaInP顶电池,GaAs中电池,InGaAs底电池,各个子电池之间通过隧穿结连接。本发明中,中电池与底电池之间,以及底电池之后各生长一组分布式布拉格反射器(DBR),通过DBR过滤位错,释放应力以及提高抗辐照性能。通过渐变缓冲层或者阶变缓冲层,将外延材料的晶格常数调至目标值,然后采用第一组DBR,过滤缓冲层中产生的位错,有效释放因晶格失配产生的应力,提高底电池的晶体质量;同时改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性,提高太阳电池外延片的成品率及性能。

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