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一种双向静电防护芯片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110972076.0
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2021-08-24
  • 申请人:
    安芯半导体技术(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称一种双向静电防护芯片及其制备方法
申请号CN202110972076.0申请日期2021-08-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-23公开/公告号CN113690232A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人安芯半导体技术(深圳)有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区南头街道莲城社区深南大道10128号南山软件园B2907 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安芯半导体技术(深圳)有限公司当前权利人安芯半导体技术(深圳)有限公司
发明人霍东晓;段金波
代理机构深圳峰诚志合知识产权代理有限公司代理人李明香
摘要
本发明公开了双向静电防护芯片,包括衬底、形成在衬底内第一扩散区、第一扩散区包括正交连接的第一扩散子区和第二扩散子区、间隔形成在衬底内并位于第二扩散子区之间的沟槽,沟槽内填充有多晶硅层和第二扩散区,第二扩散区包括位于沟槽侧壁的第三扩散子区和位于沟槽底部的第四扩散子区,多晶硅层位于第三扩散子区之间并与第四扩散子区连接,形成在第二扩散子区上表面并连接第三扩散子区的氧化硅层,氧化硅层之间形成有位于沟槽上方的开口,形成在氧化硅层上表面并填充开口的第一金属层和位于衬底下表面的第二金属层。本发明还提供了双向静电防护芯片的制备方法,提高了器件的击穿电压稳定性和放电面积,降低了器件的制造成本。

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