高频大功率氧化铍电阻

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200920109889.1
IPC分类号：H01C7/18;H01C1/14
申请日期：
2009-07-22
申请人：
北京北广科技股份有限公司;北京七六一通信雷达有限公司

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专利名称	高频大功率氧化铍电阻
申请号	CN200920109889.1	申请日期	2009-07-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕 H01C7/18 在引出端之间包括多层叠加薄膜的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;1;8;;;H;0;1;C;1;/;1;4查看分类表>
申请人	北京北广科技股份有限公司;北京七六一通信雷达有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥中路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北广科技股份有限公司,北京七六一通信雷达有限公司	当前权利人	北京北广科技股份有限公司,北京七六一通信雷达有限公司
发明人	李卫泽;孙万军;肖薇;张永庆;叶杰;张璐;迟芳;路靖
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;王占梅

摘要

本实用新型涉及一种电阻，特别是一种高频大功率氧化铍电阻，包括导热金属底座、设于导热金属底座上的氧化铍陶瓷绝缘片、设于所述高导热氧化铍陶瓷绝缘片上表面的电阻层、设于电阻层上面的陶瓷绝缘盖及两端的引线铜片，其特征在于所述氧化铍陶瓷绝缘片为多层，叠设于所述导热金属底座上，每一层氧化铍陶瓷绝缘片的上表面均设有电阻层，各电阻层的两端相互并联，所述引线铜片由最上层的电阻层两侧引出。采用多层并联方式相当于电容串连，总对地电容变小，在增大电阻面积提高功率的同时，使电阻层与地之间电容减小，将引线铜片由最上层的电阻层两侧引出，增加了引线铜片对地的爬电距离，极大地提高了大功率氧化铍电阻的高频、高压性能。

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