半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201380017338.1
IPC分类号：--
申请日期：
2013-02-14
申请人：
夏普株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN201380017338.1	申请日期	2013-02-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-10	公开/公告号	CN104205228A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	山内祥光
代理机构	北京市隆安律师事务所	代理人	权鲜枝

摘要

提供包括不受阈值电压的偏差的影响且实现了高性能化的氧化物半导体绝缘栅型FET的半导体存储装置。在存储单元(MC)中，第1晶体管元件(T1)的栅极、第2晶体管元件(T2)的源极以及电容元件(Cm)的一端相互连接而形成存储节点(Nm)，第1晶体管元件(T1)的漏极和第2晶体管元件(T2)的漏极相互连接而形成控制节点(Nc)，在排列于同一列的各存储单元(MC)中，控制节点(Nc)与在列方向延伸的共用的第1控制线(CL)连接，第1晶体管元件(T1)的源极与在列方向延伸的共用的数据信号线(DL)连接，第2晶体管元件的栅极与单个第1选择线(WL)连接，电容元件(Cm)的另一端与单个第2选择线(GL)连接，按每个第1控制线(CL)具备一端与第1控制线(CL)连接、另一端与电压供应线(VL)连接的开关元件(SE)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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