电容元件、图像传感器、电容元件的制造方法以及图像传感器的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810862104.1
IPC分类号：H01L49/02;H01L27/146
申请日期：
2018-08-01
申请人：
松下知识产权经营株式会社

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著录项信息

专利名称	电容元件、图像传感器、电容元件的制造方法以及图像传感器的制造方法
申请号	CN201810862104.1	申请日期	2018-08-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-19	公开/公告号	CN109494303A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	松下知识产权经营株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下知识产权经营株式会社	当前权利人	松下知识产权经营株式会社
发明人	德原健富;柴田聪
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈建全

摘要

本申请的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触。所述电介质层含有选自铪的氧化物和锆的氧化物中的至少一种作为主要成分。所述电介质层的膜厚为12nm以上。所述电介质层具有单斜晶系晶体结构。所述电介质层中所包含的氢的浓度为2.5×1021原子/cm3以下。

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