发光装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310487747.X
IPC分类号：H05B33/12;H05B33/02;H01L51/50;H01L27/32
申请日期：
2013-10-17
申请人：
株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光装置
申请号	CN201310487747.X	申请日期	2013-10-17
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-05-07	公开/公告号	CN103781215A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05B33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05B 电热；其他类目不包含的电照明 H05B33/00 电致发光光源〔1，8〕 H05B33/12 实质上有二维辐射表面的光源	IPC分类号	H;0;5;B;3;3;/;1;2;;;H;0;5;B;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所,夏普株式会社	当前权利人	株式会社半导体能源研究所,夏普株式会社
发明人	波多野薰;千田尚之;二星学;菊池克浩;川户伸一;越智贵志;塚本优人;小坂知裕;大崎智文
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	叶晓勇;胡莉莉

摘要

本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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