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在半导体衬底中形成接地硅通孔

发明专利有效专利

申请号：
CN201210232986.6
IPC分类号：H01L21/768
申请日期：
2012-07-05
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在半导体衬底中形成接地硅通孔
申请号	CN201210232986.6	申请日期	2012-07-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-09	公开/公告号	CN102867777A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	谢棋君;吴伟诚;颜孝璁;胡宪斌;侯上勇;郑心圃
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;孙征

摘要

一种形成中介层的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和与正面相对的背面；形成一个或多个硅通孔(TSV)，该一个或多个硅通孔从所述前表面延伸到所述半导体衬底中；形成层间介电(ILD)层，该层间介电层覆盖半导体衬底的正面和一个或多个TSV；以及在ILD层中形成互连结构，互连结构电连接半导体衬底的一个或多个TSV。

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