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一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110011365.4
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2021-01-06
申请人：
江苏东海半导体科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
申请号	CN202110011365.4	申请日期	2021-01-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112802754A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	江苏东海半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏东海半导体科技有限公司	当前权利人	江苏东海半导体科技有限公司
发明人	胡盖;黄传伟;夏华秋;谈益民
代理机构	苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	叶栋

摘要

本发明是一种隔离栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法，采用湿法刻蚀氧化层，能很好的生产出符合设计要求的栅电极、沟槽底部的多晶硅电极及中间氧化层；通过栅电极下方沟槽底部的多晶硅电极，可以大幅降低栅漏电容；当漏端加上反向偏压时，此多晶硅电极通过版图的设计与源端一起接地，可以形成更强的电场，进而增强横向耗尽的效应，进一步降低导通电阻。

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