一种晶体制备装置及生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110363899.3
IPC分类号：C30B23/00;C30B29/36;G01J5/00
申请日期：
2021-04-02
申请人：
眉山博雅新材料有限公司

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专利名称	一种晶体制备装置及生长方法
申请号	CN202110363899.3	申请日期	2021-04-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-13	公开/公告号	CN113106541A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;G;0;1;J;5;/;0;0查看分类表>
申请人	眉山博雅新材料有限公司	申请人地址	四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	眉山博雅新材料有限公司	当前权利人	眉山博雅新材料有限公司
发明人	王宇;杨田;梁振兴
代理机构	成都七星天知识产权代理有限公司	代理人	严芳芳

摘要

本说明书提供一种晶体制备装置及晶体生长方法。该装置包括：生长腔体；至少一个加热单元位于生长腔体内部，其中，至少一个加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿至少一个加热单元，在晶体生长过程中，至少一个加热单元上表面放置源材料。该方法包括：将籽晶和源材料置于生长腔体中生长晶体，其中，源材料分布在位于生长腔体内的至少一个加热单元上表面，其中，至少一个加热单元包括至少一个流通通道，至少一个流通通道贯穿至少一个加热单元；在晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的晶体生长时生长腔体内的温度控制至少一个加热单元的至少一个参数，使晶体生长时生长腔体内的径向温差不超过晶体生长温度的第一预设范围。

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