端面耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621318465.2
IPC分类号：G01R33/032;B81B7/02
申请日期：
2016-12-05
申请人：
中北大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	端面耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计
申请号	CN201621318465.2	申请日期	2016-12-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/032 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/032 采用磁—光设备，例如法拉第的〔3〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;3;2;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	中北大学	申请人地址	山西省太原市学院路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中北大学	当前权利人	中北大学
发明人	闫树斌;张彦军;张志东;汤跃;薛晨阳;张文栋
代理机构	太原科卫专利事务所（普通合伙）	代理人	朱源;武建云

摘要

本实用新型公开了一种端面耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计，包括激光器，所述激光器出射的光束通过端面耦合输入端I耦合进入Y波导分束器，其中一束光经过相位调制单元后输出，另外一束光经调节补偿后输出，两路光束再分别经过垂直耦合光栅II和垂直耦合光栅III输出，分别依次经过偏振片、衰减片、波片、准直、聚焦之后进入气室，出射后，两束光经过探测单元转化为电信号后经过减法器输入集成电路芯片，所述集成电路芯片对激光器和相位调制单元进行调控。本方案相比于单光路的芯片级磁强计方案，该方案通过双光路共模抑制可以大大减小光功率起伏和频率起伏噪声的影响，有效提高CPT磁强计的信噪比，从而可以大大提高芯片级磁强计的灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供