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用于含氮电介质层的低能蚀刻方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280050854.X
  • IPC分类号:H01L23/48
  • 申请日期:
    2012-10-25
  • 申请人:
    国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社
著录项信息
专利名称用于含氮电介质层的低能蚀刻方法
申请号CN201280050854.X申请日期2012-10-25
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2014-07-23公开/公告号CN103946975A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/48IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国际商业机器公司,日本瑞翁株式会社当前权利人国际商业机器公司,日本瑞翁株式会社
发明人M·布林克;R·L·布鲁斯;S·U·恩格尔曼;N·C·M·富勒;宫副裕之;中村昌洋
代理机构北京市中咨律师事务所代理人于静;张亚非
摘要
在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模,通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层,该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物,该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下,从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。

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